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【填空题】

在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。

更多“在长沟道MOSFET中,漏极电流的饱和是由于(),而在短沟道MOSFET中,漏极电流的饱和则是由于()。”相关的问题
第1题

A、最大电流  B、最小电流  C、最大许用漏-源电压  D、最小许用漏-源电压  

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第4题

A、电流,压漏-源电压,以栅电压为参变量  B、电流,栅电压,以漏-源电压为参变量  C、基电压,集电电流,以集电电压为参变量  D、电流,栅电流,以漏-源电压为参变量  

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第5题

A、可调电阻区  B、饱和区  C、击穿区  D、负阻区  

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第7题

A、非饱和区  B、饱和区  C、截止区  D、击穿区  

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第9题

A、A.非饱和区  B、B.饱和区  C、C.截止区  D、D.击穿区  

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