搜题
用户您好， 请在下方输入框内搜索其它题目：
搜题
题目内容 （请给出正确答案）
提问人：网友 发布时间：
【填空题】

MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。

查看正确答案
更多“MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。”相关的问题
第1题
[填空题] 在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。

点击查看答案
第2题
[判断题] 功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区

点击查看答案
第3题
[多选题] 功率MOSFET的极限参数指的是（）。

A、最大漏极电流  B、最小漏极电流  C、最大许用漏-源电压  D、最小许用漏-源电压  

点击查看答案
第4题
[单选题] MOS晶体管的阈值电压VT是（）

A、使半导体表面出现弱反型时的栅极电压  B、使半导体表面出现强反型时的栅极电压  C、使半导体表面出现弱反型时的漏极电压  D、使半导体表面出现强反型时的漏极电压  

点击查看答案
第5题
[单选题] 在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。

A、可调电阻区  B、饱和区  C、击穿区  D、负阻区  

点击查看答案
第6题
[单选题] 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。

A、P沟道耗尽型MOS管  B、N沟道增强型MOS管  C、P沟道增强型MOS管  D、N沟道耗尽型MOS管  

点击查看答案
第7题
[单选题] 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为（）。

A、1mA/V  B、0.5mA/V  C、-1mA/V  D、-0.5mA/V  

点击查看答案
第8题
[单选题] 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。

A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量  B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量  C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量  D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量  

点击查看答案
第9题
[判断题] 电除尘器在运行状态下，电场中的介质是烟气时的伏安特性称为空载伏安特性。

点击查看答案
账号：
答题记录 我的收藏 我的题库
客服
TOP

请使用微信扫码支付

订单号：
遇到问题请联系在线客服