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【单选题】

MOS晶体管的阈值电压VT是（）

A、使半导体表面出现弱反型时的栅极电压

B、使半导体表面出现强反型时的栅极电压

C、使半导体表面出现弱反型时的漏极电压

D、使半导体表面出现强反型时的漏极电压

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第1题

[简答题] 一个PMOS晶体管的阈值电压VT0为-0.4V，而体效应系数等于-0.4。试计算VSB=-2.5V，2ΦF=0.6V时的阈值电压。

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第2题

[判断题] 全桥式功率变换电路中当一组高压开关管（VT1，VT4）导通时，截止品体管（VT2，VT3）上施加的电压即为输入电压E，当所有晶体管均截止时，同臂上的两个高压开关管将共同承受输入电压（即E/2）。

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第3题

[] SIM9仿真库中的主要元件有电阻、电容、电感、（）、（）、JFET结型场效应晶体管、MOS场效应晶体管、电压/电流控制开关、熔丝、继电器、互感、TTL和CMOS数字电路元器件、模块电路等

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第4题

[判断题] 推挽式功率变换电路中VT1管导通时，在截止晶体管VT2上将施加两倍电源电压（2E）一对开关管均截止时，它们的集电极施加电压均为E/2。

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第5题

[单选题] 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。

A、均为电压控制 B、均为电流控制 C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制 D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制

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第6题

[多选题] 常用的电子开关有（）。

A、继电器 B、双极型晶体管 C、MOS场效应晶体管 D、二极管

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第7题

[单选题] 如图所示功率放大电路，输入电压为正弦波，当>0时，（）。（设晶体管b-e间开启电压忽略不计）

A、VT₁导通，TV₂截止 B、VT₁截止，VT₂导通 C、VT₁导通，VT₂导通 D、VT₁截止，VT₂截止

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第8题

[] 固体半导体摄像元件CCD是一种（）

A、A.PN结光电二极管电路 B、B.PNP型晶体管集成电路 C、C.MOS型晶体管开关集成电路 D、D.NPN型晶体管集成电路

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第9题

[判断题] 器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。

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