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【单选题】

当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。

A、积累

B、耗尽

C、导通

D、夹断

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第1题

[单选题] 在短沟道MOS器件中，当器件工作在饱和区，源漏电压升高，会使源漏电流（）

A、增大 B、减小 C、不变 D、先减小后增大

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第2题

[简答题] 晶体管工作在放大区、截止区和饱和区是的两个PN结分别是如何偏执的？理想情况下，工作在截止区是的IC有多大？工作在饱和区时UCE为多大？

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第3题

[填空题] 三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为（）和（）；饱和区，偏置为（）和（）；截止区，偏置为（）和（）。

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第4题

[判断题] 三极管工作在饱和区时，由于集电极电流较大所以也有放大作用。

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第5题

[] 三极管工作在饱和区时无电流放大作用，其发射结和集电结都处于正向偏置。

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第6题

[判断题] 三极管工作在饱和区时无电流放大作用，其发射结和集电结都处于正向偏置。

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第7题

[单选题] ‌短沟道器件的阈值电压往往会随时间漂移，这是由于热载流子效应，一般这个效应使NMOS器件的阈值电压（），使PMOS器件的阈值电压（）。

A、升高；升高 B、升高；降低 C、降低；升高 D、降低；降低

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第8题

[判断题] 三极管工作在饱和区时，两个PN结的偏置是：发射结加正向电压，集电结加正向电压。

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第9题

[单选题] 当离心式压缩机的工作点位于喘振区时，相当于压缩机工作在（　）

A、不稳定工作点 B、稳定工作点

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