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【填空题】

无源基区重掺杂的目的是（）。

[]

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第1题

[填空题] 发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。

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第2题

[填空题] 基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。

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第3题

[] 关于BJT的结构特点说法错误的是（）。

A、A.基区很薄且掺杂浓度很低 B、B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 C、C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 D、D.集电区面积大于发射区面积

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第4题

[填空题] 在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。

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第5题

[填空题] 晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。

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第6题

[单选题] 关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）

A、基区很薄 B、基区掺杂浓度最高 C、发射区掺杂浓度最高 D、发射结的结面积小于集电结的结面积

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第7题

[填空题] 由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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第8题

[判断题] 晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。

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第9题

[填空题] 当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。

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