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【判断题】

晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。

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更多“晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。”相关的问题

第1题

[单选题] 关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）

A、基区很薄 B、基区掺杂浓度最高 C、发射区掺杂浓度最高 D、发射结的结面积小于集电结的结面积

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第2题

[单选题] 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

A、基区 B、集电区 C、发射区 D、饱和区

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第3题

[单选题] 在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）

A、基区 B、集电区 C、发射区 D、饱和区

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第4题

[] 关于BJT的结构特点说法错误的是（）。

A、A.基区很薄且掺杂浓度很低 B、B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 C、C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 D、D.集电区面积大于发射区面积

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第5题

[] 晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。

A、A.发射区 B、B.基区 C、C.集电区 D、D.放大区

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第6题

[填空题] 由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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第7题

[判断题] 三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。

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第8题

[判断题] 晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，三极管就工作在放大区。（）

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第9题

[] 晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾，使扩散运动大大超过复合。

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