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【填空题】

由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。

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第1题

A、A.基很薄且掺杂浓度很低  B、B.发射掺杂浓度远大集电掺杂浓度  C、C.基掺杂浓度远大集电掺杂浓度  D、D.集电面积大发射面积  

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第8题

A、基很薄  B、基掺杂浓度最高  C、发射掺杂浓度最高  D、发射结结面积小集电结结面积  

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