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【填空题】

由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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第1题

[] 关于BJT的结构特点说法错误的是（）。

A、A.基区很薄且掺杂浓度很低 B、B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 C、C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度 D、D.集电区面积大于发射区面积

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第2题

[] 为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。

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第3题

[判断题] 由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。

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第4题

[] PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。

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第5题

[填空题] 发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。

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第6题

[填空题] 晶体管的注入效率是指（）电流与（）电流之比。为了提高注入效率，应当使（）区掺杂浓度远大于（）区掺杂浓度。

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第7题

[填空题] 请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序： a.生成多晶硅 b.确定井的位置和大小 c.定义扩散区，生成源漏区 d.确定有源区的位置和大小 e.确定过孔位置正确的顺序为（）

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第8题

[单选题] 关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）

A、基区很薄 B、基区掺杂浓度最高 C、发射区掺杂浓度最高 D、发射结的结面积小于集电结的结面积

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第9题

[填空题] 氧浓差电池中，高氧浓度区的金属为（），低氧浓度区的金属为（）。

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