题目内容 (请给出正确答案) 提问人:网友 发布时间: 【填空题】 由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。 查看正确答案