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【填空题】

基区穿通是指当集电结反向电压增加到使耗尽区将（）全部占据时，集电极电流急剧增大的现象。防止基区穿通的措施是（）基区宽度、（）基区掺杂浓度。

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第1题

[填空题] 当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。

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第2题

[单选题] 要使三极管具有电流放大作用，则必须：（）。

A、发射结加正向电压，集电结加反向电压 B、发射结加反向电压，集电结加反向电压 C、发射结加正向电压，集电结加正向电压 D、发射结加反向电压，集电结加正向电压

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第3题

[] 要使三极管具有电流放大作用，则必须（）。

A、A.发射结加正向电压，集电结加反向电压 B、B.发射结加反向电压，集电结加反向电压 C、C.发射结加正向电压，集电结加正向电压 D、D.发射结加反向电压，集电结加正向电压

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第4题

[单选题] 如工作在截止区时，三极管两个结的偏置是（）

A、发射结加正向电压，集电结加反向电压 B、发射结加反向电压，集电结加正向电压 C、发射结加反向电压，集电结加反向电压

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第5题

[单选题] 三极管工作在饱和区时，三极管两个结的偏置是（）

A、发射结加正向电压，集电结也加正向电压 B、发射结加正向电压，集电结加反向电压 C、发射结加反向电压，集电结加反向电压

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第6题

[单选题] 晶体三极管作放大使用时，必须（）。

A、发射结与集电结都加正向电压 B、发射结与集电结都加反向电压 C、发射结加反向、集电结加正向 D、发射结加正向、集电结加反向

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第7题

[单选题] 为保证NPN型三极管工作在放大状态，必须使（）；

A、必须使三极的集电结处于正向偏置而发射结处于反向偏置； B、必须使三极的发射结处于正向偏置而集电结处于反向偏置； C、必须使三极的发射结处于反向偏置而集电结处于正向偏置；

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第8题

[填空题] 由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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第9题

[单选题] 晶体管工作在饱和区的条件是（）。

A、发射结正向偏置，集电结反向偏置 B、发射结反向偏置，集电结正向偏置 C、发射结正向偏置，集电结正向偏置 D、发射结反向偏置，集电结反向偏置

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