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【判断题】

MOS管阈值电压的单位是eV。

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第3题

A、当时,漏极电流以有限速度下降,导致功率损耗或模拟信息丢失  B、MOS阈值电流一般为几十~几百nA常用于低功耗放大器、带隙基准设计  C、亚阈值跨导比饱和区(强反型区)跨导大,有利于实现大放大倍数  D、MOS由0增大到大于阈值电压,经历截止---弱反型---强反型,这一个渐进过程,故当捕获75.JPG"alt="捕获,仍有存在  

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第4题

A、P沟道耗尽型MOS  B、N沟道增强型MOS  C、P沟道增强型MOS  D、N沟道耗尽型MOS  

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第5题

A、使半导体表面出现弱反型时栅极电压  B、使半导体表面出现强反型时栅极电压  C、使半导体表面出现弱反型时漏极电压  D、使半导体表面出现强反型时漏极电压  

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第8题

A、高宽长比MOS通常采用Multi-finger方式绘制。  B、高宽长比MOS采用Multi-finger后其源/漏极面积会减少。  C、高宽长比MOS可以通过若干个小MOS并联形式绘制。  D、高宽长比MOS采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。  

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