A、高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。
B、高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。
C、高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。
D、高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。
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A、Stick Diagram包括了所有版图的信息。 B、Stick Diagram的信息是不完整的，因此它对于版图没有任何帮助。 C、Stick Diagram是版图的抽象表示，它可以帮助高效的画出版图。 D、Stick Diagram没有层次的概念。
A、该DRC文件是为Diva写的 B、metal1层上，最小间距为0.3um C、ngate标识某一个MOS管的栅极 D、如果某一条metal1金属线的宽度为0.2um，则DRC会报错
A、LVS出现错误说明原先版图上必定有逻辑连接错误。 B、可以通过一些开关控制某些LVS错误的出现和消除。 C、和DRC一样，LVS对版图中的各个层进行操作，但它可以把其中的器件抽取出来。 D、LVS永远把金属连线作为理想连线来对待，所以，LVS不可能辨认出用金属构建的电阻。
A、高宽比越大，结构的侧移越大 B、高宽比越大，结构的稳定性越差 C、高宽比越大，结构越容易倾覆 D、高宽比越大，地震作用下，一侧柱可能会出现拉力，另一侧可能出现过大压力 E、高宽比越大，结构的地震作用越大
A、房屋高宽比越大，由柱轴向变形引起的侧移越大 B、一般对赢度超过50m的房屋，不必考虑梁柱弯曲变形对侧移的影响 C、各楼层的层间侧移露上而下逐渐减小 D、各楼层处的水平侧移之和即框架顶点的水平侧移
A、B级较A级的最大适用高度增加，适用的最大高宽比加大 B、B级较A级的最大适用高度增加，适用的最大高宽比减小 C、B级较A级的最大适用高度降低，适用的最大高宽比加大 D、B级较A级的最大适用高度降低，适用的最大高宽比减小
A、每一压载水舱，燃油舱，清水舱，隔离空舱和其他不易到达的分舱都设测量管 B、测量管的内径不小于32mm C、一切舱柜的测量管都应引至干舷甲板之上 D、每一测量管的上端应设螺纹闷盖或自闭旋塞
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