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【单选题】

在杂质半导体中，少子浓度主要取决于（）

A、掺入杂质的浓度

B、材料

C、温度

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第1题

[单选题] 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、晶体缺陷

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第2题

[单选题] 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

A、晶体缺陷 B、温度 C、杂质浓度 D、掺杂工艺

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第3题

[单选题] 杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。

A、温度 B、掺杂工艺 C、掺杂浓度 D、晶格缺陷

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第4题

[] 对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与（）有关，而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于（）的大小。

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第5题

[单选题] 杂质半导体中（）的浓度对温度敏感。

A、少子 B、多子 C、杂质离子 D、空穴

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第6题

[填空题] 在N型半导体中，多子是（），少子是（）；在P型半导体中，多子是（），少子是（）

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第7题

[填空题] 本征半导体是指（）。P型半导体中的少子是（），多子是（），N型半导体中的少子是（），多子是（）。

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第8题

[判断题] 产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。

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第9题

[] 加到半导体中的杂质可以分成（）种类型，一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生许多带负电的（），这种半导体叫做（）半导体。

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