产生直接跃迁与间接跃迁的原因主要取决于半导体材料的能带结构。

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第1题

A、电子跃迁 B、核跃迁 C、振动—转动能级跃迁 D、振动能级跃迁

第2题

第3题

A、料位越高，则介质吸收的射线越多 B、料位越高，则穿透介质的射线越多 C、射线在传播时的衰减就只取决于介质的密度和传播的距离 D、射线是放射性物质的原子核发生能级跃迁时产生的

第4题

A、原子外层电子的跃迁 B、分子振动和转动能级的跃迁 C、分子外层电子的跃迁 D、原子内层电子的跃迁

第5题

A、A.直接取决于目标控制人员对目标控制效果的评价 B、B.直接取决于是否将主动控制与被动控制相结合 C、C.直接取决于采取控制措施的时间是否及时 D、D.直接取决于目标控制的措施是否得力

第6题

A、禁带较窄 B、禁带较宽 C、禁带是间接跃迁型 D、禁带是直接跃迁型

第7题

A、核外内层电子向外层电子跃迁 B、核外外层电子向内层电子跃迁 C、核外外层电子向内层电子空穴跃迁 D、核外内层电子向外层电子空穴跃迁 E、核外内层电子向光学轨道跃迁

第8题

A、分子外层电子、振动、转动能级的跃迁 B、原子外层电子、振动、转动能级的跃迁 C、分子振动-转动能级的跃迁 D、分子外层电子的能级跃迁

第9题

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