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【填空题】

集成电路金属薄膜的沉积通常采用()

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第1题

A、溅射物理气相沉积  B、蒸发物理气相沉积  C、等离子增强化学气相沉积  D、低压化学气相沉积  

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第2题

A、半导体集成电路  B、薄膜集成电路  C、数字集成电路  D、厚膜集成电路  

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第3题

A、半导体集成电路  B、TTL集成电路  C、厚膜集成电路  D、薄膜集成电路  E、CMOS集成电路  

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第4题

A、A.半导体集成电路  B、B.TTL集成电路  C、C.厚膜集成电路  D、D.薄膜集成电路  E、E.CMOS集成电路  

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第5题

A、混合集成电路调节器  B、全集成电路调节器  C、半集成电路调节器  D、普通集成电路调节器  

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第7题

A、集成电路制造(晶圆加工)  B、集成电路封装  C、集成电路测试  D、集成电路设计  

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第8题

A、A.继电器电路  B、B.集成电路  C、C.微型计算机  D、D.继电器电路或者集成电路  

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第9题

A、钨导电率比铝更低  B、钨刻蚀比铝更容易  C、采用化学气相沉积法制备钨具有更好填孔能力  D、钨与硅接触性能更好  

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