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【单选题】

为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。

A、du/dt抑制电路

B、抗饱和电路

C、di/dt抑制电路

D、吸收电路

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第1题

[单选题] 为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。

A、抑制电路 B、抗饱和电路 C、吸收电路

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第2题

[单选题] 为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（）。

A、A B、B C、C D、D

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第3题

[单选题] 为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）。

A、du/dt抑制电路 B、抗饱和电路 C、di/dt抑制电路 D、吸收电路

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第4题

[单选题] 桓流驱动电路中加速电容C的作用是（）。

A、加快功率晶体管的开通 B、延缓功率晶体管的关断 C、加深功率晶体管的饱和深度 D、保护器件

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第5题

[] 恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（）。

A、A.加快功率晶体管开通 B、B.延缓功率晶体管关断 C、C.加深功率晶体管的饱和深度 D、D.保护器件

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第6题

[单选题] 交流晶体管调压器整形放大电路改善波形的措施有（）

A、提高晶体管的饱和深度或采用正反馈 B、采用正反馈和负反馈 C、提高晶体管的饱和深度和放大系数 D、提高晶体管的放大倍数或采用负反馈

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第7题

[单选题] 根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。

A、NPN型低频小功率硅晶体管 B、NPN型高频小功率硅晶体管 C、PNP型低频小功率锗晶体管 D、NPN型低频大功率硅晶体管

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第8题

[单选题] JT-1型晶体管图示仪“集电极扫描信号”中，功耗限制电阻的作用是（）

A、限制集电极功耗 B、保护晶体管 C、把集电极电压变化转换为电流变化 D、限制集电极功耗，保护被测晶体管

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第9题

[单选题] 在图像、伴音等放大电路中晶体管可选用（）。

A、高频晶体管 B、低频晶体管 C、中频晶体管 D、大功率晶体管

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