【单选题】
根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。
A、NPN型低频小功率硅晶体管
B、NPN型高频小功率硅晶体管
C、PNP型低频小功率锗晶体管
D、NPN型低频大功率硅晶体管
A、NPN型低频小功率硅晶体管
B、NPN型高频小功率硅晶体管
C、PNP型低频小功率锗晶体管
D、NPN型低频大功率硅晶体管
A、N型半导体掺入5价元素,P型半导体掺入3价元素 B、N型半导体掺入3价元素,P型半导体掺入5价元素 C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同,但接头不同 D、N型半导体的空穴过剩,P型半导体的空穴不