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【单选题】

为限制功率晶体管的饱和深度,减小存储时间,恒流驱动电路经常采用()。<br /> <img src="https://nimg.ppkao.com/2018-09/tangxueping/2018090710491424136.jpg?sign=ff1d196641830e35651294536ae0bd9b&t=62d34e2f" />

A、A

B、B

C、C

D、D

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第2题

A、du/dt抑制电路  B、抗饱和电路  C、di/dt抑制电路  D、吸收电路  

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第3题

A、du/dt抑制电路  B、抗饱和电路  C、di/dt抑制电路  D、吸收电路  

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第4题

A、加快功率体管开通  B、延缓功率体管关断  C、加深功率体管饱和深度  D、保护器件  

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第5题

A、A.加快功率体管开通  B、B.延缓功率体管关断  C、C.加深功率体管饱和深度  D、D.保护器件  

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第6题

A、提高体管饱和深度或采用正反馈  B、采用正反馈和负反馈  C、提高体管饱和深度和放大系数  D、提高体管放大倍数或采用负反馈  

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第7题

A、NPN型低频小功率体管  B、NPN型高频小功率体管  C、PNP型低频小功率体管  D、NPN型低频大功率体管  

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第8题

A、体管具有功率放大能力最高极限频率  B、体管失去功率放大能力最高极限频率  C、放大器最大功率增益下降到1,对应频率  

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第9题

A、限制集电极功耗  B、保护体管  C、把集电极电压变化转换电流变化  D、限制集电极功耗,保护被测体管  

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