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【判断题】

一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。

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第1题

[填空题] 锗晶体二极管的（）电压降比硅晶体二极管小。（）电流比硅晶体二极管大。

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第2题

[] 硅二极管的死区电压一般为0.2V。

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第3题

[判断题] 锗二极管允许工作温度较硅二极管高，一般用其制成中、大功率的二极管。

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第4题

[判断题] 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。

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第5题

[单选题] 稳压值高于6V的硅稳压二极管，其电压温度系数一般来说（）。

A、大于0 B、等于0 C、小于0 D、没有规律

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第6题

[单选题] 对于二极管来说，以下说法错误的是（）。

A、正向电阻很小 B、反向电阻很大 C、无论加多大的反向电压，都不会导通 D、所加正向电压大于死区电压时，二极管才真正导通

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第7题

[填空题] 锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。

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第8题

[单选题] 2CZ54D是（）。

A、N型硅整流二极管 B、P型锗整流二极管 C、N型硅整流稳压二极管 D、P型锗整流开关二极管

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第9题

[单选题] 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。

A、0.4V B、0.5V C、0.6V D、0.7V

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