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【判断题】

硅二极管的死区电压一般为0.2V。

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第1题

[单选题] 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。

A、0.3V B、0.2V C、0.5V D、0.7V

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第2题

[单选题] 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（）。

A、立即导通 B、到0.3V开始导通 C、超过死区电压开始导通 D、不导通

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第3题

[单选题] 硅二极管的死区电压约为（）。

A、0.2 B、0.3 C、0.5 D、0.7

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第4题

[单选题] 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。

A、0.4V B、0.5V C、0.6V D、0.7V

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第5题

[单选题] 硅二极管两端典型电压差为（）。

A、0.2V B、0.7V C、0.3V D、0.8V

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第6题

[单选题] 当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。

A、超过死区电压时才开始导通 B、到0.3才开始导通 C、立即导通

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第7题

[单选题] 硅二极管两端加上正向电压时（）。

A、立即导通 B、若超过0.3V才导通 C、若超过死区电才导道

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第8题

[单选题] 硅二极管两端正向偏置电压大于（）时，二极管才能导通。

A、0V B、0.5V C、0.7V

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第9题

[单选题] 在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。

A、0.2 B、0.3 C、0.5 D、0.7

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