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【填空题】

锗晶体二极管的（）电压降比硅晶体二极管小。（）电流比硅晶体二极管大。

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第1题

[判断题] 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。

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第2题

[判断题] 硅晶体三极管的穿透电流比锗晶体三极管的小。

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第3题

[单选题] 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。

A、0.4V B、0.5V C、0.6V D、0.7V

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第4题

[单选题] 根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。

A、NPN型低频小功率硅晶体管 B、NPN型高频小功率硅晶体管 C、PNP型低频小功率锗晶体管 D、NPN型低频大功率硅晶体管

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第5题

[单选题] 2CZ54D是（）。

A、N型硅整流二极管 B、P型锗整流二极管 C、N型硅整流稳压二极管 D、P型锗整流开关二极管

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第6题

[单选题] 以下零件需辩识极性的是（）

A、电阻；跳线；二极管；晶体管 B、电阻；二极管；晶体管；电容 C、二极管；晶体管；电解电容 D、电阻；二极管；晶体管；保险丝

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第7题

[判断题] 锗二极管允许工作温度较硅二极管高，一般用其制成中、大功率的二极管。

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第8题

[判断题] 因为晶体三极管由两个PN结组成，所以晶体三极管可以当同材料的晶体二极管使用。

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第9题

[判断题] 因为晶体三极管由两个PN结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来当晶体三极管使用。

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