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【简答题】

已知铜晶体的切变模量G=4×10<sup>10</sup>Nm<sup>-2</sup>，位错的柏氏矢量等于原子间距，b=2.0×10<sup>-10</sup>m，取α=0.75，计算：<br /> （1）单位长度位错线的应变能。<br /> （2）单位体积的严重变形铜晶体内部存储的位错应变能。（设位错密度为10<sup>10</sup>m/cm<sup>3</sup>）

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第1题

[简答题] 已知铜晶体的切变模量G=4×1010Nm-2，位错的柏氏矢量等于原子间距，b=2.0×10-10m，取α=0.75，计算（1）单位长度位错线的应变能。（2）单位体积的严重变形铜晶体内部存储的位错应变能。（设位错密度为1010m/cm3）

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第2题

[简答题] 根据下面的派－纳力公式：解释晶体滑移为什么多是沿着晶体中原子密度最大的面和原子密排方向进行。式中b为柏氏矢量的模，G：切变模量，v：泊松比，a为面间距。

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第3题

[简答题] 图示两端固定的圆截面轴，直径为d，材料的切变模量为G，截面B的转角为φB，试求所加扭力偶矩M之值。

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第4题

[简答题] 下图所示轴，若扭力偶矩M=1kNm，许用切应力[η]=80MPa，单位长度的许用扭转角[θ]=0.5°/m，切变模量G=80GPa，试确定轴径。

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第5题

[简答题] 图示圆截面轴，AB与BC段的直径分别为d1与d2，且d1=4d2/3，试求轴内的最大切应力与截面C的转角，并画出轴表面母线的位移情况，材料的切变模量为G。

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第6题

[简答题] TiO为NaCl型结构，每个晶胞中有4个TiO化学式单元，X射线衍射数据表明Ti和O的比例为1：1，立方晶胞的边长为418pm，测量体积和质量得到的密度是4.92g·cm-3。这些数据能否表明晶体内部有缺陷存在？如果有的话，请进一步指出它们属空位缺陷还是间隙缺陷（已知1个TiO化学单元质量为63.88u，1u=̳4;1.66×10-24g？

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第7题

[单选题] （）是晶体的一部分相对于另一部分发生切变，而且发生切变的部分与未切变部分的晶体结构呈对称形式分布。

A、孪生 B、位错 C、位移 D、滑移

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第8题

[] 已知谐振功率放大器工作在临界状态，晶体管转移特性的斜率g=10ms，Uj=0.5V，Eb=-0.5V，Ubm=2V，晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V，Ec=24V。求（1）集电极效率ηc；（2）集电极负载谐振电阻Rc？

A、已知谐振功率放大器工作在临界状态，晶体管转移特性的斜率g=10ms，Uj=0.5V，Eb=-0.5V，Ubm=2V，晶体管输出特性临界饱和线斜率gcr=6.94A/V，Ec=24V。 B、求（1）集电极效率ηc； C、（2）集电极负载谐振电阻Rc？

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第9题

[填空题] 某试件材料的弹性模量E为25GPa，泊松比为0.25，则这种材料的剪切弹性模量G为（）GPa。若试件直径为40mm，该试件拉伸到轴向应变为8×10-4时相应的拉伸应力为（）MPa，直径缩短了（）mm。

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