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【简答题】

解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。

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第3题

A、当电离辐射照射导体探测器时,产生载流子在电场作用下形成脉冲信号  B、根据掺杂情况不同,有N型导体探测器和P型导体探测器  C、相同体积导体探测器,要比空气电离室灵敏度低,这是在放射治疗中普遍使用电离室原因  D、高原辐射会使导体探测器晶格发生畸变,导致探头受损,灵敏度下降  E、环境温度会影响导体探测器灵敏度  

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第4题

A、N型导体掺入5价元素,P型导体掺入3价元素  B、N型导体掺入3价元素,P型导体掺入5价元素  C、N型导体和P型导体掺杂相同,但接头不同  D、N型导体空穴过剩,P型导体空穴不  

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第7题

A、四价元素  B、五价元素  C、六价元素  D、三价元素  

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第9题

A、A.本征导体  B、B.金属  C、C.化合物导体  D、D.掺杂导体  

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