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【名词解释】

肖特基缺陷

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第1题

[简答题] 什么是热缺陷？简述肖特基缺陷和弗仑克尔缺陷的特点。

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第2题

[简答题] 在离子晶体中，由于电中性的要求，肖特基缺陷多成对地产生，令n代表正、负离子空位的对数，W是产生一对缺陷所需要的能量，N是原有的正、负离子对的数目。（1）试证明：n/N=Bexp（-W/2kBT）；（2）试求有肖特基缺陷后体积的变化△V/V，其中V为原有的体积。

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第3题

[简答题] 为什么形成一个肖特基缺陷所需能量比形成一个弗伦克尔缺陷所需能量低？

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第4题

[填空题] 由点缺陷（肖特基和弗兰克尔缺陷）引起的扩散为（）扩散，空位来源于掺杂而引起的扩散为（）扩散。

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第5题

[单选题] 集成电路74LS系列表示（）。

A、高速肖特基TTL电路 B、低功耗肖特基TTL电路 C、低速肖特基TTL电路 D、高低功耗肖特基TTL电路

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第6题

[名词解释] 肖特基缺陷

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第7题

[单选题] 晶体中的点缺陷不包括（）

A、肖特基缺陷 B、佛伦克尔缺陷 C、自填隙原子 D、堆垛层错

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第8题

[填空题] MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为（）。（肖特基缺陷生成能为6ev，1ev=1.6×10-15J，k=1.38×10-23J/K）

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第9题

[简答题] 如果已知空位形成能为Eu=0.67eV，试问当温度为300K时在金里肖特基缺陷数与格点数之比是多少？

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