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【填空题】

MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为（）。（肖特基缺陷生成能为6ev，1ev=1.6×10<sup>-15</sup>J，k=1.38×10<sup>-23</sup>J/K）

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第1题

[填空题] 晶体的热缺陷有（）两类，热缺陷浓度与温度的关系式为（）

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第2题

[填空题] 晶体结构中的热缺陷有（）和（）二类。热缺陷浓度与温度的关系式为（）

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第3题

[单选题] 当晶体的温度高于绝对0K时，由于晶体内原子热震动，使一部分能量较大的原子离开平衡位置造成的缺陷称为（）

A、杂质缺陷 B、热缺陷 C、点缺陷 D、面缺陷

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第4题

[] 晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而（）。

A、A.增加 B、B.不变 C、C.降低

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第5题

[填空题] 由于（）的结果，必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”，组分缺陷的浓度主要取决于（）和（）

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第6题

[简答题] 已知MgO晶体属于立方晶系，Mg2+的离子半径1.40A O2-离子半径0.65A，试推测MgO晶体的结构形式。

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第7题

[简答题] BeO和MgO晶体的结构分别属于六方ZnS和NaCl型，试从离子半径比与配位数关系推测BeO和MgO的晶体结构形式，并与实际结果进行比较。

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第8题

[单选题] 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

A、温度 B、掺杂工艺 C、杂质浓度 D、晶体缺陷

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第9题

[单选题] 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

A、晶体缺陷 B、温度 C、杂质浓度 D、掺杂工艺

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