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【填空题】

由点缺陷（肖特基和弗兰克尔缺陷）引起的扩散为（）扩散，空位来源于掺杂而引起的扩散为（）扩散。

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[单选题] 晶体中的点缺陷不包括（）

A、肖特基缺陷 B、佛伦克尔缺陷 C、自填隙原子 D、堆垛层错

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第2题

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第4题

[单选题] 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为（）

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第5题

[简答题] 在离子晶体中，由于电中性的要求，肖特基缺陷多成对地产生，令n代表正、负离子空位的对数，W是产生一对缺陷所需要的能量，N是原有的正、负离子对的数目。（1）试证明：n/N=Bexp（-W/2kBT）；（2）试求有肖特基缺陷后体积的变化△V/V，其中V为原有的体积。

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第6题

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第7题

[判断题] 晶体缺陷分为点缺陷，面缺陷和线缺陷？

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第8题

[填空题] MgO晶体在25℃时热缺陷浓度为（）。（肖特基缺陷生成能为6ev，1ev=1.6×10-15J，k=1.38×10-23J/K）

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第9题

[单选题] 晶体缺陷从范围上分，不包括（）

A、点缺陷 B、线缺陷 C、组成缺陷 D、面缺陷

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