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【简答题】

简述MOS集成电路工艺中提高场开启电压的方法。

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第3题

A、集成电路制造(晶圆加工)  B、集成电路封装  C、集成电路测试  D、集成电路设计  

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第4题

A、A.PN结光电二极管电路  B、B.PNP型晶体管集成电路  C、C.MOS型晶体管开关集成电路  D、D.NPN型晶体管集成电路  

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第5题

A、交流放大器,电压控制器,直流放大器  B、整流电路,放大电路  C、滤波电路,整流电路  D、小规模集成电路,开关电路  

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第6题

A、半导体集成电路  B、TTL集成电路  C、厚膜集成电路  D、薄膜集成电路  E、CMOS集成电路  

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第7题

A、半导体集成电路  B、薄膜集成电路  C、数字集成电路  D、厚膜集成电路  

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第8题

A、集成电路元器件性能比较一致,对称性好,适于作差动放大电路  B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片,且工艺简单,故集成电路三极管用得多,电阻用得少  C、集成电路电容是用PN结结电容,一般小于100PF  D、集成电路三极管是低频小功率管  E、集成电路二极管是高性能管  

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