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【填空题】

PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。

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第1题

[] PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。

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第2题

[填空题] 势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。

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第3题

[填空题] 当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

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第4题

[填空题] 由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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第5题

[多选题] 设置一组适宜范围的浓度梯度氯化钠溶液，分别将同种动物的单个离体神经置干溶液中，分别给予适当刺激，测得（）。

A、浓度越高膜电位差越大 B、浓度越高膜电位差越小 C、浓度越高动作电位幅度越大 D、浓度越高动作电位幅度越小

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第6题

[填空题] 扩散电容反映的是 PN 结的（）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（）；少子寿命越长，则扩散电容就越（）。

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第7题

[单选题] 各种不对称短路故障中的序电压分布规律是（）。

A、正序电压、负序电压、零序电压越靠近电源数值越高 B、正序电压，负序电压越靠近电源数值越高，零序电压越靠近短路点越高 C、正序电压越靠近电源数值越高，负序电压、零序电压越靠近电源数值越低

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第8题

[单选题] 在讨论有分电器的点火系统次级击穿电压（取自点火线圈高压线）的检测结果时，技师甲说，如果点火线圈的充电时间越长，次级击穿电压就一定越高；技师乙说，如果点火线圈的充电时间越短，次级击穿电压就一定越低。请问谁的说法正确？（）

A、只有甲正确 B、只有乙正确 C、两人均正确 D、两人均不正确

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第9题

[单选题] 一般来说，电弧辐射越弱，则（）。

A、烟尘和有毒气体浓度越低 B、烟尘和有毒气体浓度越高 C、烟尘越多，有毒气体浓度越低 D、烟尘越少，有毒气体浓度越高

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