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【单项选择题】

关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）

A、如图所示，R₂两端电压U_R2=（）V。

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第1题

[单选题] 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

A、电子载流子 B、空穴载流子 C、电子载流子和空穴载流子

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第2题

[] 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

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第3题

[判断题] 在杂质半导体中，杂质饱和电离区载流子的主要来源是本征激发的载流子。

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第4题

[填空题] 在本征半导体中掺入微量的五价元素就成为（）型半导体，其中（）是多数载流子。

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第5题

[] 温度升高后本征半导体中自由电子与空穴两种载流子浓度将不再相等。

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第6题

[] 下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）

A、A.仅自由电子是载流子 B、B.仅空穴是载流子 C、C.自由电子和空穴都是载流子 D、D.三价杂质离子也是载流子

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第7题

[单选题] 下面说法错误的是：场效应管（）。

A、也称为双极型晶体管 B、也称为单极型晶体管 C、的载流子只通过一种极性的半导体 D、是利用多数载流子导电的器件

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第8题

[] 在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第9题

[] 在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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