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【单选题】

位错密度的单位是（）

A、cm²

B、cm^-3

C、cm

D、cm^-2

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第1题

[单选题] 在晶体滑移过程中（）

A、由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少 B、由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高 C、由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少 D、由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变

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第2题

[简答题] 已知铜晶体的切变模量G=4×1010Nm-2，位错的柏氏矢量等于原子间距，b=2.0×10-10m，取α=0.75，计算：（1）单位长度位错线的应变能。（2）单位体积的严重变形铜晶体内部存储的位错应变能。（设位错密度为1010m/cm3）

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第3题

[简答题] 已知铜晶体的切变模量G=4×1010Nm-2，位错的柏氏矢量等于原子间距，b=2.0×10-10m，取α=0.75，计算（1）单位长度位错线的应变能。（2）单位体积的严重变形铜晶体内部存储的位错应变能。（设位错密度为1010m/cm3）

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第4题

[单选题] Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是（）

A、溶质原子再扩散到位错周围 B、位错增殖的结果 C、位错密度降低的结果

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第5题

[填空题] 位错的基本类型有两种，它们是（）位错和（）位错，有多余半个原子面是（）位错所特有的。

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第6题

[填空题] b与位错线（）的位错称为刃位错，可用符号（）表示；b 与位错线（）的位错称为螺位错

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第7题

[单选题] 下面对刃型位错描述错误的是（）

A、位错既有切应变，又有正应变 B、位错线与晶体的滑移方向相平行 C、位错线运动方向与位错线垂直 D、位错线是一个具有一定宽度的细长晶格畸变管道

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第8题

[填空题] 位错是在滑移面上局部滑移区的边界，位错分为刃位错和螺位错，刃位错的方向与滑移的方向（），螺位错的方向与滑移的方向（）。

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第9题

[填空题] 刃型位错的柏氏矢量b与位错线t互相（），刃型位错移动的方向与b方向（）。螺型位错的移动方向与柏氏矢量b（），螺型位错的柏氏矢量b方向与位错线t的方向（）。

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