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【填空题】

氧化型气体吸附到N型半导体上，将使载流子数目（），从而使材料的电阻率（）．

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第1题

[判断题] N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

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第2题

[判断题] N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

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第3题

[判断题] N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。

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第4题

[] 在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第5题

[判断题] 在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。

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第6题

[填空题] N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。

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第7题

[填空题] N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

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第8题

[] 本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成（）型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是（）。

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第9题

[单选题] 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）

A、电子载流子  B、空穴载流子  C、电子载流子和空穴载流子  

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