【填空题】
A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大 B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比 C、表面缺陷的漏磁场,随离开表面的距离增大而急剧下降 D、有缺陷的试件,才会产生漏磁场
A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大 B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比 C、表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降 D、用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化