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【简答题】

为什么多晶硅的干法刻蚀要采用氯基气体而不是氟基气体？

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第1题

[简答题] 哪种化学气体通常用来刻蚀多晶硅，为什么这种化学气体替代了氟基化学气体？

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第2题

[简答题] 沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。

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第3题

[单选题] 做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）

A、整个多晶硅的长度 B、多晶硅中两个引线孔中心点的距离 C、多晶硅中两个引线孔内侧的距离 D、多晶硅中两个引线孔外侧的距离

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第4题

[单选题] 在做集成电路的多晶硅电容设计时，要计算每个电容的容值，那么电容的面积大小是怎样计算的？（）

A、第一层多晶硅的面积 B、第二层多晶硅的面积 C、二层多晶硅重叠后的面积

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第5题

[简答题] 列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。

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第6题

[简答题] 简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。

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第7题

[单选题] 硅系太阳电池主要包括单晶硅太阳电池、多晶硅太阳电池、非晶硅太阳电池。其中（）太阳电池转换效率最高。

A、多晶硅 B、单晶硅 C、非晶硅 D、以上皆不是

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第8题

[简答题] 低温多晶硅TFT技术的最大优势是什么？

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第9题

[简答题] 什么是多晶硅？

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