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【填空题】

tanδ能反映绝缘的（）和小电容试品中的严重（）。由随（）的变化曲线，可判断绝缘是否受潮、含有气泡及老化的程度。

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第1题

[判断题] tanδ能反映绝缘的整体性缺陷和小电容试品中的严重局部性缺陷。

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第2题

[判断题] 当被试品具有较大电容时，tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

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第3题

[多选题] 在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。

A、变压器 B、耦合电容器 C、电流互感器 D、变压器套管

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第4题

[判断题] 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

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第5题

[判断题] 小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。

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第6题

[] 有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn，若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的（）。

A、A.最大值 B、B.最小值 C、C.平均值 D、D.某介于最大值与最小值之间的值

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第7题

[简答题] 分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？

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第8题

[单选题] 当断路器电容器的tanδ值不符合要求时，应综合分析tanδ与（）的关系，查明原因。

A、绝缘电阻 B、电流 C、电压 D、并联均压电容值

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第9题

[判断题] 在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。

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