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【简答题】

分析小电容量试品的介质损耗因素tgδ测量结果时，应特别注意哪些外界因素的影响？

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第1题

[多选题] 在现场测量小电容量试品的介质tanδ值时，受外界影响的因素很多，往往引入很多误差，这类试品主要是指（）。

A、变压器 B、耦合电容器 C、电流互感器 D、变压器套管

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第2题

[] 当被试品电容量很小，测量其介损tgδ时，介损仪的高压引线与被试品的杂散电容对测量的影响不可忽视。

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第3题

[判断题] 在现场相同条件下（好天气），用介损仪测量小电容试品的tgδ和Cx时，用正接线方法和反接线方法测量结果是完全相同的。

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第4题

[判断题] 现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响。

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第5题

[判断题] 小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。

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第6题

[单选题] 试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）

A、试品电容量越大，影响越大 B、试品电容量越小，影响越小 C、试品电容量越小，影响越大 D、与试品电容量的大小无关

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第7题

[单选题] 用介损仪反接线测量小电容量试品（＜50PF）的介损tgδ及Cx时，在附近处有物体（如梯子等）情况下测得的电容值较物体拆除拆除后测得的电容值（）。

A、大 B、相等 C、小 D、以上均不是

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第8题

[单选题] 试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。

A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大 B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小 C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响 D、以上均不是

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第9题

[单选题] 用额定电压10kV的试验变压器，测量电容量为20000pF试品的tgδ时，在下列试验变压器容量中最小可选择（）kVA

A、0.5 B、1 C、1.5 D、2

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