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【简答题】
描述CVD生长的简化过程。写出影响CVD生长速率的因素。
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更多“描述CVD生长的简化过程。写出影响CVD生长速率的因素。”相关的问题
第1题
[简答题] 简述沉积多晶硅采用什么
CVD
工具?掺杂
的
Poly-Si
的
主要用途。
写出
掺杂
的
Poly-Si做栅电极
的
6个原因。
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第2题
[简答题]
影响
CVD
薄膜参数主要是哪些?
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第3题
[]
CVD
过程
中采用等离子体
的
优点有哪些?
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第4题
[简答题]
CVD
法
的
过程
和细节分别是什么?
点击查看答案
第5题
[单选题] 利用气态化合物(或化合物
的
混合物)在基体受热表面发生化学反应,并在该基体表面生成固态沉积物
的
技术称()。
A、物理气相沉积(PVD) B、物理气相沉积(
CVD
) C、化学气相沉积(VCD) D、化学气相沉积(
CVD
)
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第6题
[简答题] 沉积多晶硅栅材料采用什么
CVD
工具,列举多晶硅作为栅电极
的
6个原因。
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第7题
[简答题] 简述
CVD
技术
的
反应原理
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第8题
[简答题] 简述
CVD
技术
的
热动力学原理——热力学
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第9题
[简答题] 简述
CVD
原理简单
的
归纳。
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