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【判断题】

双极型晶体管的工作区域可分为：饱和区、正向工作区、反向工作区和截止区。

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第1题

[判断题] 绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。

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第2题

[单选题] 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。

A、均为电压控制 B、均为电流控制 C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制 D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制

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第3题

[填空题] 绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。

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第4题

[判断题] 电力晶体管属于双极型晶体管。

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第5题

[填空题] 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

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第6题

[填空题] 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

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第7题

[简答题] 1）试比较射频场效应管与射频双极型晶体管结构和特性上的差异。 2）试讨论晶体管小信号模型和大信号模型的主要区别。请问能否使用晶体管大信号模型分析射频小信号。

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第8题

[填空题] 由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。

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第9题

[单选题] 双极型半导体器件是（）。

A、二极管 B、晶体管 C、场效应晶体管 D、稳压管

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