A、不可控器件
B、电流驱动型
C、电压驱动型
D、半控型器件
A、功率半导体器件处于开关状态 B、导通管压降低 C、漏电流小 D、管子导通时,相当于开路
A、半导体器件的单向导电性 B、半导体器件的电容效应 C、半导体器件的击穿特性 D、半导体器件的温度敏感性
A、GTO B、GTR C、功率MOSFET D、IGBT
A、功率半导体器件通常处于开关状态 B、导通管压降低 C、漏电流很大 D、管子导通时,相当于短路
A、性能参数 B、转移特性 C、内部性能 D、特性曲线
A、光二极管(LED)和PIN光电二极管 B、半导体激光二极管(LD)和雪崩光电二极管(APD) C、PIN光电二极管和雪崩光电二极管(APD) D、发光二极管(LED)和半导体激光二极管(LD)
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