A、GTO
B、GTR
C、功率MOSFET
D、IGBT
A、不可控器件 B、电流驱动型 C、电压驱动型 D、半控型器件
A、GTR B、MOSFET C、IGBT
A、功率半导体器件处于开关状态 B、导通管压降低 C、漏电流小 D、管子导通时,相当于开路
A、功率半导体器件通常处于开关状态 B、导通管压降低 C、漏电流很大 D、管子导通时,相当于短路
A、半导体器件的单向导电性 B、半导体器件的电容效应 C、半导体器件的击穿特性 D、半导体器件的温度敏感性
A、不带电的 B、带正点的 C、带负电的
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