【单选题】
下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述（）是正确的。
A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
B、 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
D、 以上都对
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A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小 B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响 C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小 D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响 E、除A以外都对
