【填空题】
查看正确答案A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小 B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响 C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小 D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响 E、除A以外都对
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第2题
A、 在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响 B、 交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小 C、 当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时，缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响 D、 以上都对
第3题
A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大 B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比 C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降 D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
第6题
A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大 B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比 C、表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降 D、有缺陷的试件，才会产生漏磁场
