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【简答题】

如图的电路参数如下：Rg＝10MΩ，Rd＝30kΩ，Rs＝2kΩ，Cs＝10μF，C1＝C2＝0.01μF，UDD＝18V，场效应管的UGS（off）＝-1V，IDSS=1mA。试确定该电路的静态工作点。 <img src="https://nimg.ppkao.com/2018-10/chenbin/2018101616391574677.jpg?sign=cdf3036d1d2893d02a6094bfad6c4396&t=62d7758a" />

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第1题

[简答题] 电路如图,参数如下：f0=30MHz，C=20pF，L13的Q0=60，N12=6，N23=4，N45=3。R1=10kΩ，m>Rgm>=2.5kΩ，RL=830Ω，Cg=9PF，CL=12pF。求L13、QL。

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第2题

[简答题] 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA， VDD=16v， m>RGm>1=160kΩ，m>RGm>2=40kΩ，m>RGm>=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。试画出微变等效电路

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第3题

[简答题] 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA， VDD=16v， m>RGm>1=160kΩ，m>RGm>2=40kΩ，m>RGm>=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。试求电压放大倍数Au

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第4题

[简答题] 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA， VDD=16v， m>RGm>1=160kΩ，m>RGm>2=40kΩ，m>RGm>=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。试求输入电阻Ri、输出电阻Ro

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第5题

[简答题] 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA， VDD=16v， m>RGm>1=160kΩ，m>RGm>2=40kΩ，m>RGm>=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。试求：静态工作点Q

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第6题

[简答题] 一多量程电压表测量电路如图所示。已知表头内阻m>Rgm>=3500Ω，满偏转电流Ig=10μA，其量程为：U1=1V，U2=2.5V，U3=10V，U4=50V，U5=250V。试求各分压电阻。

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第7题

[简答题] 化学反应如下：利用附录中各物质的△fGθm数据，计算上述反应在25℃时的△m>rGm>θm。

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第8题

[简答题] 化学反应如下：利用附录中各物质的Sθm，△fHθm数据，求上述反应在25℃时的△rSθm，△m>rGm>θm。

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第9题

[简答题] 一多量程电流表测量电路如图所示。已知表头内阻m>Rgm>为3750Ω。满偏转电流为Ig=40μA，其量程为：I1=50μA，I2=1mA，I3=10mA，I4=100mA，I5=500mA。求各分流电阻。

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