搜题

【简答题】

如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知V<sub>P</sub>=-4v，I<sub>DSS</sub>=1mA， V<sub>DD</sub>=16v， R<sub>G1</sub>=160kΩ，R<sub>G2</sub>=40kΩ，R<sub>G</sub>=1MΩ，R<sub>D</sub>=10kΩ，R<sub>S</sub>=8kΩ，R<sub>L</sub>=1MΩ。 <img src="https://nimg.ppkao.com/2019-04/wangjing/2019042615083436695.jpg?sign=9231552e1075d81ca1a36ae109982ffc&t=62d6af82" /> 试画出微变等效电路

查看正确答案

更多“ 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知V<sub>P</sub>=-4v，I<sub>DSS</sub>=1mA， V<sub>DD</sub>=16v， R<sub>G1</sub>=160kΩ，R<sub>G2</sub>=40kΩ，R<sub>G</sub>=1MΩ，R<sub>D</sub>=10kΩ，R<sub>S</sub>=8kΩ，R<sub>L</sub>=1MΩ。 <img src="https://nimg.ppkao.com/2019-04/wangjing/2019042615083436695.jpg?sign=9231552e1075d81ca1a36ae109982ffc&t=62d6af82" /> 试画出微变等效电路”相关的问题

第1题

[单选题] 如图所示，场效应管的类型（）

A、①是N沟道结型  B、②是N沟道结型  

点击查看答案

第2题

[简答题] 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA， VDD=16v， RG1=160kΩ，RG2=40kΩ，RG=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。试求电压放大倍数Au

点击查看答案

第3题

[简答题] 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA， VDD=16v， RG1=160kΩ，RG2=40kΩ，RG=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。试求输入电阻Ri、输出电阻Ro

点击查看答案

第4题

[简答题] 如图所示为N沟道结型结构的场效应管放大电路中，已知VP=-4v，IDSS=1mA，&ensp;VDD=16v，&ensp;RG1=160kΩ，RG2=40kΩ，RG=1MΩ，RD=10kΩ，RS=8kΩ，RL=1MΩ。试求：静态工作点Q

点击查看答案

第5题

[] 如图所示，绝缘栅型场效应管的类型（）如图所示，绝缘栅型场效应管的类型（）

A、A.①是N沟道增强型  B、B.②是P沟道增强型  C、C.③是P沟道耗尽型  D、D.④是P沟道耗尽型  

点击查看答案

第6题

[单选题] 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。

A、P沟道耗尽型MOS管  B、N沟道增强型MOS管  C、P沟道增强型MOS管  D、N沟道耗尽型MOS管  

点击查看答案

第7题

[单选题] 场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；

A、绝缘型；  B、IGBT型；  C、稳压型；  

点击查看答案

第8题

[单选题] 已知某场效应管的输出特性如题8图所示，则该场效应管的类型是（）。

A、P沟道&ensp;&ensp;增强型  B、N沟道&ensp;&ensp;增强型  C、P沟道&ensp;&ensp;耗尽型  D、N沟道&ensp;&ensp;耗尽型  

点击查看答案

第9题

[单选题] 当UGS=0时，仍能工作在放大区的场效应管是（）场效应管。

A、耗尽型MOS  B、增强型MOS  C、结型  

点击查看答案

账号：登录

TOP

请使用微信扫码支付

订单号：
遇到问题请联系在线客服