晶体中的位错属于（）。

A、体缺陷

B、线缺陷

C、面缺陷

D、点缺陷

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第1题

[单选题] 在晶体滑移过程中（）

A、由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少 B、由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高 C、由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少 D、由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变

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第2题

[简答题] 已知铜晶体的切变模量G=4×1010Nm-2，位错的柏氏矢量等于原子间距，b=2.0×10-10m，取α=0.75，计算：（1）单位长度位错线的应变能。（2）单位体积的严重变形铜晶体内部存储的位错应变能。（设位错密度为1010m/cm3）

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第3题

[简答题] 已知铜晶体的切变模量G=4×1010Nm-2，位错的柏氏矢量等于原子间距，b=2.0×10-10m，取α=0.75，计算（1）单位长度位错线的应变能。（2）单位体积的严重变形铜晶体内部存储的位错应变能。（设位错密度为1010m/cm3）

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第4题

[单选题] 晶体中的线缺陷包括（）

A、小角晶界 B、空位 C、螺位错 D、堆垛层错

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第5题

[单选题] 下面对刃型位错描述错误的是（）

A、位错既有切应变，又有正应变 B、位错线与晶体的滑移方向相平行 C、位错线运动方向与位错线垂直 D、位错线是一个具有一定宽度的细长晶格畸变管道

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第6题

[单选题] 柏格斯矢量是位错的符号，它代表（）。

A、位错线的方向 B、位错线的运动方向 C、晶体的滑移方向

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第7题

[单选题] 在金属晶体缺陷中，属于面缺陷的有（）。

A、间隙原子 B、位错，位移 C、晶界，亚晶界 D、缩孔，缩松

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第8题

[单选题] 位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向（）

A、随位错线运动方向而改变 B、始终是柏氏矢量方向 C、始终是外力的方向 D、垂直于柏氏矢量方向

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第9题

[单选题] 层错和不完全位错之间的关系是（）

A、层错和不完全位错交替出现 B、层错和不完全位错能量相同 C、层错能越高，不完全位错伯氏矢量的模越小 D、不完全位错总是出现在层错和完整晶体的交界处

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