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【判断题】

IGBT没有二次击穿现象。

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第1题

[单选题] 电力场效应管MOSFET（）现象。

A、有二次击穿 B、无二次击穿 C、防止二次击穿 D、无静电击穿

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第2题

[单选题] 电力场效应管MOSFET（）现象。

A、有二次击穿 B、无二次击穿 C、防止二次击穿 D、无静电击穿

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第3题

[] 电力场效应管MOSFET（）现象。

A、A.有二次击穿 B、B.无二次击穿 C、C.防止二次击穿 D、D.无静电击穿

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第4题

[多选题] 电流互感器二次开路后有（）现象。

A、造成铁芯强烈过热，烧损电流互感器 B、击穿二次线圈 C、二次线圈产生很大短路电流 D、二次线圈产生很高的电动势

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第5题

[填空题] （）存在二次击穿现象，（）存在擎住现象。

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第6题

[判断题] GTR的优点是控制方便、开关时间短，低频特性好，缺点是存在局部过热现象，可能导致二次击穿。

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第7题

[] 电流/电压互感器二次侧不能接地，防止一次绝缘击穿时，高电压窜入二次回路危及人身和设备的安全。

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第8题

[单选题] 使用在电力系统中运行的电流互感器在100%额定电流时，当二次侧突然断线后产生的后果，下列说法错误的是（）。

A、二次侧感应出很高的电动势，若人体接触二次可能造成触电 B、可能造成互感器二次匝间击穿短路，或者二次对地击穿短路，造成互感器损坏 C、可能烧坏绕组绝缘，造成互感器损坏 D、对互感器的误差没有影响

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第9题

[单选题] 下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）

A、GTO B、功率晶体管 C、功率场效应管 D、1GBT

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