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【填空题】

（）存在二次击穿现象，（）存在擎住现象。

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第1题

[判断题] GTR的优点是控制方便、开关时间短，低频特性好，缺点是存在局部过热现象，可能导致二次击穿。

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第2题

[单选题] 电力场效应管MOSFET（）现象。

A、有二次击穿 B、无二次击穿 C、防止二次击穿 D、无静电击穿

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第3题

[单选题] 电力场效应管MOSFET（）现象。

A、有二次击穿 B、无二次击穿 C、防止二次击穿 D、无静电击穿

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第4题

[] 电力场效应管MOSFET（）现象。

A、A.有二次击穿 B、B.无二次击穿 C、C.防止二次击穿 D、D.无静电击穿

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第5题

[多选题] 电流互感器二次开路后有（）现象。

A、造成铁芯强烈过热，烧损电流互感器 B、击穿二次线圈 C、二次线圈产生很大短路电流 D、二次线圈产生很高的电动势

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第6题

[判断题] IGBT没有二次击穿现象。

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第7题

[] 由通态到断态，能够维持晶闸管元件导通的最小阳极电流叫做擎住电流。

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第8题

[单选题] 对于二次雷达，关于“二次环绕”（SECOND-TIME-AROUND）现象，正确的是（）。

A、“二次环绕”（SECOND-TIME-AROUND）现象是在PPI显示器的近距离出现断续的绕环现象，影响方位分辨率，难以判断真正目标的位置 B、“二次环绕”现象是回答超过脉冲重复周期的目标在第二个周期近距离显示 C、使用ISLS技术可以克服“二次环绕”现象 D、使用RSLS技术可以克服“二次环绕”现象

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第9题

[单选题] 下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）

A、GTO B、功率晶体管 C、功率场效应管 D、1GBT

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