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【单选题】

室温下，铜导线内自由电子密度为n=8.5×10<sup>28</sup>个/m<sup>3</sup>，导线中电流密度的大小J=2×10<sup>6</sup>A/m<sup>2</sup>，则电子定向漂移速率为：（）。（基本电荷e=1.6×10<sup>-19</sup>C）

A、1.5×10^-4 m/s

B、1.5×10^-2 m/s

C、5.4×10² m/s

D、1.1×10⁵ m/s

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第1题

[简答题] 已知铜的摩尔质量M＝63.75ｇ•mol－1，密度ρ＝8.9g•cm－3，在铜导线里，假设每一个铜原子贡献出一个自由电子，（1）为了技术上的安全，铜线内最大电流密度jm=6.0A.mm-2，求此时铜线内电子的漂移速率vd；（2）在室温下电子热运动的平均速率是电子漂移速率vd的多少倍？

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第2题

[简答题] 一铜棒的横截面积为20mm×80mm，长为2m，两端的电势差为50mV。已知铜的电阻率为ρ＝1.75×10-8Ω•m，铜内自由电子的数密度为8.5×1028/m3。求：（1）棒的电阻；（2）通过棒的电流；（3）棒内的电流密度；（4）棒内的电场强度；（5）棒所消耗的功率；（6）棒内电子的漂移速度。

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第3题

[] 在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求：（1）热运动速度平均值&ensp; （2）平均自由时间（3）平均自由路程&ensp; （4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度

A、在室温下，高纯锗的电子迁移率μn=3900cm2/v˙s，设电子的有效质量为mn=3×10-29g，求：  B、（1）热运动速度平均值&ensp;  C、（2）平均自由时间  D、（3）平均自由路程&ensp;  E、（4）在外加电场为10/Vcm时的漂移速度  

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第4题

[简答题] 铜的密度为ρm=8.95g/cm3。室温下的电阻率为ρ=1.55×10-6Ω·cm。计算：（1）导电电子浓度；（2）驰豫时间；（3）费米能量EF，费米速度vF；（4）费米面上电子的平均自由程lF；（5）等离子体的振荡频率ωp。

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第5题

[简答题] 金属导体中的传导电流是由大量的自由电子的定向漂移运动形成的，自由电子除无规则热运动外，将沿着电场强度E 的反方向漂移。设电子电量的绝对值为e，电子的“漂移”速度的平均值为v ，单位体积内自由电子数为n，求金属导体中的传导电流密度大小。

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第6题

[简答题] 若把银看成是具有球形费米面的单价金属，已知银的密度为ρm＝10.5g/cm3，银的原子量AAg=107.87g/mol，室温下直流电阻率为ρR＝1.61*10-6Ω·cm，20K时的电阻率为ρL＝0.038*10-6Ω·cm.计算以下各量：（1）导电电子浓度。（2）室温和低温时的弛豫时间。（3）费米能量EF，费米速度vF。（4）室温下电子的平均自由程lR。（5）低温下电子的平均自由程lL。（6）费米面的横截面积SF。

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第7题

[简答题] 一块有杂质补偿的硅材料，已知掺入受主密度NA=1×1015cm2，室温下测其费米能级，恰好与施主能级重合，并得知平衡电子密度为n0=5×1015cm3，已知室温下硅的本征载流子密度为n=1.5×1015cm3，试求：（1）平衡少子的密度&ensp; （2）材料中施主杂质的密度（3）电离杂质和中性杂质的密度

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第8题

[简答题] 边长为L的三维晶体中有N个自由电子，根据自由电子模型，写出：&ensp; ①波矢的取值； ②T=0K时的费米能εF； ③状态密度D（ε）=dN／dε=？ ④用ε-D（ε）绘出电子在0&ensp;K和TK的温度下的分布图。

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第9题

[单选题] 一均匀的导线，截面积为S，单位体积内有n个原子，每个原子有2个自由电子，当导体一端加以电势差后，自由电子的飘移速度为v，则导体中的电流为：（）

A、nevS  B、2nevS  C、nvS/e  D、nvS/2e  

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