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【简答题】

使用QS18A型万用电桥测量一电容，当“量程开关”置于1000PF，“损耗倍率”为D×0.01时，调节“损耗平衡”为1.2，“读数”两盘分别为0.5和0.076时电桥平衡，试问被测电容的容量及损耗因数各为多少？

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第1题

[简答题] 图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥，采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。

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第2题

[简答题] 图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥，采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。

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第3题

[判断题] 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，试验电源频率对测量值有一定影响。在一频率范围内，随频率的增加，tanØ值增加。当超过某一频率f0时，tanØ值随频率的增加而下降。这是由介质内极化分子“转向”能否跟上频率变化所决定的。

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第4题

[判断题] 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

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第5题

[] QS1型交流电桥测量时，标准电容CN和试验变压器QS1电桥距离应不小于（）。

A、A.0.2m B、B.0.5m C、C.1m D、D.1.5m

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第6题

[多选题] 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，造成-tanØ值出现的原因有（）

A、温度影响 B、强电场干扰 C、测量中接线错误 D、测量有抽取电压装置的电容式套管时，套管表面脏污

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第7题

[单选题] 试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置

A、0.01 B、0.025 C、0.06 D、0.15

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第8题

[简答题] 画出使用QS1型西林电桥，采用末端屏蔽间接法测量110kV、220kV串级式电压互感器的支架介损tgδ和电容量C的接线图，并写出计算tgδ和C的公式。

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第9题

[判断题] 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，温度对tanØ测量结果影响很大。尤其当试验温度小于0℃或天气潮湿（相对湿度大于85%）条件下测得的tanØ值，不能反映设备的实际绝缘状况。

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