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【单选题】

试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置

A、0.01

B、0.025

C、0.06

D、0.15

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第1题

[单选题] 试品电容量约为15000pF，当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在（）档

A、0.01 B、0.025 C、0.06 D、0.15

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第2题

[简答题] 图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥，采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。

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第3题

[简答题] 图E-71为220kV电容式电压互感器的原理接线图。画出使用QS1型西林电桥，采用自激法测量主电容C1的介损、电容量和分压电容C2的介损、电容量的试验接线图。

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第4题

[单选题] 试品绝缘表面脏污，受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品介损和电容量测量结果的影响程度是（）

A、试品电容量越大，影响越大 B、试品电容量越小，影响越小 C、试品电容量越小，影响越大 D、与试品电容量的大小无关

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第5题

[判断题] 小电容（小于500PF）试品，主要有电容型套管、电容型电流互感器等，对这些试品采用介损仪正、反接线进行测量，测得的介损tgδ值是一样的。

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第6题

[单选题] 试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，对试品tgδ和C测量结果的影响程度是（）

A、试品电容量越大，影响越大 B、试品电容量越小，影响越小 C、试品电容量越小，影响越大 D、与试品电容量的大小无关

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第7题

[单选题] 试品绝缘表面脏污、受潮，在试验电压下产生表面泄漏电流，描述正确的是（）。

A、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越大 B、试品电容量越大，对试品tgδ和C测量结果影响越小 C、试品电容量大小，对试品tgδ和C测量结果不影响 D、以上均不是

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第8题

[判断题] 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。

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第9题

[简答题] 画出使用QS1型西林电桥，采用末端屏蔽间接法测量110kV、220kV串级式电压互感器的支架介损tgδ和电容量C的接线图，并写出计算tgδ和C的公式。

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