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【简答题】

描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。

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第1题

[单选题] 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为（）。

A、P沟道耗尽型MOS管 B、N沟道增强型MOS管 C、P沟道增强型MOS管 D、N沟道耗尽型MOS管

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第2题

[单选题] 已知某场效应管的输出特性如题8图所示，则该场效应管的类型是（）。

A、P沟道增强型 B、N沟道增强型 C、P沟道耗尽型 D、N沟道耗尽型

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第3题

[] 如图所示，绝缘栅型场效应管的类型（）如图所示，绝缘栅型场效应管的类型（）

A、A.①是N沟道增强型 B、B.②是P沟道增强型 C、C.③是P沟道耗尽型 D、D.④是P沟道耗尽型

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第4题

[填空题] 场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。

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第5题

[] 为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。

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第6题

[单选题] 功率场效应晶体管一般是（）。

A、N沟道耗尽型 B、N沟道增强型 C、P沟道增强型 D、P沟道耗尽型

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第7题

[填空题] 阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。

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第8题

[单选题] 如图所示，场效应管的类型（）

A、①是N沟道结型 B、②是N沟道结型

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第9题

[单选题] CMOS类型的集成电路的C它代表（）型的场效应三极管。

A、互补 B、耗尽 C、P沟道 D、N沟道

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