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【判断题】

硅中常见的B掺杂和As掺杂都是深能级掺杂。

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第1题

[简答题] 下列晶体中占优势的缺陷有哪些？（1）用MgCl2掺杂的NaCl；（2）用Y2O3掺杂的ZrO2；（3）用YF3掺杂的CaF2；（4）用As掺杂的Si；（5）在一种还原气氛中加热过的WO3。

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第2题

[单选题] 杂质半导体中少数载流子浓度（）

A、与掺杂浓度和温度无关  B、只与掺杂浓度有关  C、只与温度有关  D、与掺杂浓度和温度有关  

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第3题

[填空题] 发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。

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第4题

[] 关于BJT的结构特点说法错误的是（）。

A、A.基区很薄且掺杂浓度很低  B、B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度  C、C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度  D、D.集电区面积大于发射区面积  

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第5题

[简答题] 什么是掺杂？为什么掺杂对半导体制造很重要？说明掺杂硅的两种主要类型及他们之间的最主要区别。

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第6题

[判断题] 在现代集成电路加工技术中，主流的掺杂技术是扩散掺杂。

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第7题

[简答题] 什么是掺杂？硅半导体工艺中采用何种工艺实现掺杂？它们的基本原理是什么？

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第8题

[简答题] 举例说明什么是同型掺杂和反型掺杂及各自的目的。

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第9题

[简答题] 掺杂的主要目的是什么？给出硅片制造中的三种主要掺杂应用。

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