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【单选题】

某N沟道场效应晶体管测得UGS=0时，漏极电流Id=10mA，则该管的类型为（）。

A、耗尽型管

B、增强型管

C、绝缘栅型

D、无法确定

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第1题

[] （）具有不同的低频小信号电路模型。

A、A.NPN型管和PNP型管  B、B.增强型场效应管和耗尽型场效应管  C、C.N沟道场效应管和P沟道场效应管  D、D.晶体管和场效应管  

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第2题

[填空题] MOS场效应晶体管分为四种基本类型：（）、（）、P沟增强型、P沟耗尽型。

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第3题

[单选题] NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。

A、P阱，P沟  B、P阱、N沟  C、N阱、N沟  D、N阱、P沟  

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第4题

[单选题] 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。

A、均为电压控制  B、均为电流控制  C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制  D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制  

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第5题

[简答题] 电路如图4.7所示，已知晶体管 ＝50，在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设VCC＝12V，晶体管饱和管压降UCES＝0.5V。

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第6题

[简答题] 某电子测量设备的技术说明书指出：当输入信号的频率在200kHz时，其相对误差不大于±2.5%；环境温度在（20±10）℃范围变化是，温度附加误差不大于±1%℃-1；电源电压变化±10%时，附加误差不大于±2%；更换晶体管时附加误差不大于±2%，假设在环境温度23℃时使用该设备，使用前更换了一个晶体管，电源电压220V，被测信号为0.5V（200kHz）的交流信号，量程为1V，求测量不确定度。

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第7题

[填空题] 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

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第8题

[简答题] 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示。估算(b)图晶体管的和值。

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第9题

[填空题] 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。

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